無需雙靶，單靶可制作中頻工藝！

獨家發布！電源革命??！

國家發明專利?。?！

直流中頻兩用磁控濺射電源特點：
  1.可通過設置在直流和中頻電源之間切換。
  2.靈敏的過流（滅?。┍Ｗo。
  3.電子電抗，負載匹配性好。
  4.集成化設計、體積小、水冷更穩定！
  5.做中頻電源使用時，無需孿生靶材，即可用單靶制作中頻工藝。
  6.可執行90%以上孿生陰極的工藝，可做化合物，反應濺射，有效防止靶材中毒。
  7.與傳統中頻電源相比，顯著提高離化率！幾乎相當于直流電源的離化效率。
  5.N+1備份，可做到永不停產！

典型應用：
1.LOW-E低輻射玻璃鍍膜，可制備SIO2，TIO2，SIN,CRN,TIN,等等化合物。
2.ITO鍍膜，SIO2,等
3.陶瓷多弧磁控濺射鍍膜設備。
4.ITO氧化銦錫濺射鍍膜設備。
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PLT/PS-DCS直流中頻兩用磁控濺射電源型號及參數
型  號     額定功率 冷卻方式  控制方式 空載電壓 最大電流  模塊數量
PLT/PSDCS15K  15KW     風冷+水冷  恒電流    DC800V   25A       1+1
PLT/PSDCS30K  30KW     風冷+水冷  恒電流    DC800V   50A       1+2
PLT/PSDCS45K  45KW     風冷+水冷  恒電流    DC800V   75A       1+3
PLT/PSDCS60K  60KW     風冷+水冷  恒電流    DC800V   100A      1+4

上述型號，機身尺寸全部：L580 X W445 X H180m